: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优 ,IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似静电感应晶体管SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，常被称为正常导通型器件。（） A:对 B:错

点击这里，查看本门网课答案

: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优 ,IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似 静电感应晶体管SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，常被称为正常导通型器件。（ ） A:对 B:错